村田硅電容器和貼片電容特性有什么不同？首先由智成電子講解什么是硅電容，硅電容使用了半導(dǎo)體的制造工藝，利用硅材質(zhì)制作而成。它跟普通電容類似，也是上下都是極板，中間是介電層，不同點(diǎn)是介電層使用的是硅材料。以下深圳智成電子例舉了五點(diǎn)和貼片電容相比的好處。
- 出色的高頻特性
- 較高的溫度特性（與HiK的MLCC相比）
- 極低的偏置特性（與HiK的MLCC相比）
- 很高的可靠性
- 低背化
還有一個(gè)優(yōu)勢是，硅電容可以做得更小更薄，標(biāo)準(zhǔn)化的硅電容可以做到100微米，定制化的可以做到40~50微米。還有值得注意的是硅電容是沒有極性的。
部結(jié)構(gòu).jpg)
硅電容器的內(nèi)部結(jié)構(gòu)